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英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT模块 FF1000R17IE4 1000A 1700V
产品描述

详细参数

制造商: Infineon 

产品种类: IGBT 模块 

配置: Dual 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1700 V 

集电极射极饱和电压: 2。45 V 

25 C的连续集电极电流: 1390 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 6.25 kW 

500万彩票网最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 150 C 

高度: 38 mm  

长度: 250 mm  

宽度: 89 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

工厂包装数量: 2只


一类短路

发生 类短路时 发生一类短路时,IGBT的电流会快速上升,当电流上升到一定数值 时,(一般为4倍额定电流), IGBT会发生退饱和现象其标志,其标志 是IGBT的电压会迅速上升至直流 母线电压。 当IGBT退出饱和区后,IGBT的电 流为4倍额定电流(此倍数与芯片 类型有关),电压为母线电压,( 外电路的所有电动势都压在IGBT 上),IGBT芯片的损耗非常大, 根据规格书,其最多能耐受10us的 短路状态。驱动器需要在此时间内 Vce(sat) 检测电路监控 短路状态。驱动器需要在此时间内 把IGBT关掉,此时的关断是完全安全的



二类短路

发生二类短路时 由于回路的电感量稍大,电流爬升的速度慢了一些 ,(比一类短路慢,但实际还是很 快的),门极脉冲打开时,IGBT的 Vce下降至饱和压降,随着电流进 一步加大,饱和压降轻微上升;当 电流到达“退饱和点”时,Vce迅速 上升至直流母线电压,我们把Vce 上升的过程称为“退饱和”行为。当 IGBT退出饱和区后,其损耗要比 未退饱和前高数百倍,因为Vce从 几伏上升至几百伏,而电流则没有 明显变化。从退饱和算起,10us内 须关断 Vce(sat) 检测电路监控 ,必 IGBT。 另外,还需要注意的是,当IGBT电流上升的过程中,Vge也在上升,这是一 种米勒效应,IGBT在短路时,门极电压有被向上抬升的趋势 门极电压有被向上抬升的趋势。


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