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英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT模块 FF1400R12IP4 1400A 1200V
产品描述

详细参数

制造商: Infineon 

产品种类: IGBT 模块 

配置: Dual 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 2。05 V 

在25 C的连续集电极电流: 1400 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 7.65 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 150 C 

封装: Tray 

高度: 38 mm  

长度: 250 mm  

宽度: 89 mm    

栅极发射极最大电压: 20 V  

工厂包装数量: 2只


IGBT的外特性

1

从IGBT 的外特性图中可以读出的信息

图中左下角的图是 图中左下角的图是IGBT的d h atas eet中给出的外特性曲线 中给出的外特性曲线,通常这个图只给出 通常这个图只给出 额定电流的2倍的曲线,电流再大的部分属于定性不定量的示意图。当电流 等于450A,即1倍额定电流时,Vcesat=2.5V;在2倍额定电流时, V t 3 9V Vcesat=3.9V;在3倍额定电流时,V t 5 6V Vcesat=5~6V;当电流达到4倍额定电流时 ,IGBT会承受住外部电压的所有值。 这张图可以看出: 1. IGBT在某个固定的门极电压下,其电流达到一定高度就上不去了。这说 明,IGBT在短路时,电流会被限制在一个稳定的水平,其数值大约为 IGBT额定电流的4倍,(该数值与IGBT的芯片类型有关系 的芯片类型有关系)。 2. 门极电压可以强烈地影响IGBT短路电流的数值,门极电压较低时,短路 电流会比较低,门极电压升高,短路电流也会升高。 3. IGBT的 在 电流 1倍至3倍 间变化 之 ,Vcesat的变化是非常微弱的 的变化是非常微弱的,只有几V 的差别。 4. IGBT在退饱和后,Vcesat会有显著变化。 5. IGBT在短路时,实际上进入了线性区。


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