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英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT FS450R12KE3 450A 1200V
产品描述

FS450R12KE3很多厂家的产品在 VCC2 和门极电压之间会有 2V 左右的压降,如果 VCC2 为 15V,那么驱动电压 就只有13V,那么他们之间的损耗就会加大;如果需要15V的驱动电压,则供电电压会设置为17V, 这时候的 Dc1 实现的钳位电压就达到了 17.7V,钳位电压越高,钳位的意义就越小。 而英飞凌这款产品采用的轨到轨输出是供电电压 VCC2 和门极驱动电压一样,除了不存在压 降带来的损耗以外,其实现的嵌位电压也就更有意义,如果采用 15V 供电,则钳位电压最高也才 15.7V。

采用了 SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅)技术,就是在顶层硅和背衬底之间引入了一层 埋氧化层。涂的这层绝缘层的好处主要是,抗干扰的能力更强,耐负压的能力更好,很多器件在 VS 的点经常跳负压,而采用的这个绝缘层对负压具有很好的耐受能力。 主要特性如下: 开关频率高达 250KHz 0.5A,8Pin 封装产品,简易驱动 IC,可驱动 30A 的 IGBT 2.3A,14Pin 封装产品,具有过电流,过电压等保护功能。可驱动 75A 的 IGBT。 具有自举,Active Shot Down,滤波延时补偿,欠压保护等功能。 滤波功能:采用内部的 RC 输入电路完成(MOSFET 滤波时间 100ns 左右,IGBT 滤波时间 200ns 左右) 自举功能:自举二极管和限流电阻放到了器件内部。自举电路中的阻抗越小越好,流过的电流就 越大。(0.5A,40 欧,2.3A,27 欧) 欠压保护:设定欠压保护值(如 12V),如果供电电压低于设定的欠压保护值,则输出信号锁死。 内置滤波欠压保护,IGBT 版本具有非对称欠压保护,增强可靠性。 过流保护:主要针对 2EDL23xx 产品,滤波后的电流超过一定时间,认为过流,锁定信号输出。 内置自举电路:相对采用 FET 做内置自举的产品,采用二极管会更好一些,且温漂小。 集成度更高:简化了外部电路,降低系统成本,同时增加了产品的稳定性和抗干扰能力。

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